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晶体管
FJE5304D参考图片

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FJE5304D

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Sil Transistor NPN Triple Diff Planar
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1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.2036
42.036
100
¥2.712
271.2
1,000
¥2.1696
2169.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
12 V
最大直流电集电极电流
4 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJE5304D
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
Pd-功率耗散
30000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
FJE5304D_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPS65R1K4C6AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 3.2A IPAK-3
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
参考库存:11215
MMBT5087LT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50mA 50V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:144762
SBC857CDW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:65429
FDC6302P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH -25V
1:¥4.6104
10:¥3.8646
100:¥2.3617
1,000:¥1.8193
3,000:¥1.5481
参考库存:8486
FMB5551
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.9945
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:38538
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