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晶体管
NGTG12N60TF1G参考图片

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NGTG12N60TF1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V 12A IGBT TO-3PF
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF-3L
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
54 W
系列
NGTG12N60TF1G
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
8 g
商品其它信息
优势价格,NGTG12N60TF1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
3,000:¥5.3223
6,000:查看
参考库存:16205
晶体管
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
1,000:¥13.5261
2,000:查看
参考库存:6937
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
500:¥12.7577
4,000:¥12.7577
参考库存:19009
晶体管
MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:16291
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8817
500:¥5.9212
3,000:¥5.9212
参考库存:75108
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