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晶体管
STF6N65M2参考图片

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STF6N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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库存:12,306(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STF6N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.5 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF6N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:80845
晶体管
MOSFET 1.8V-rated PFET w/Vgs pull-up
1:¥4.2262
10:¥4.2149
25:¥3.5595
100:¥3.2431
3,000:¥3.2431
参考库存:26367
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥56.9407
10:¥50.8726
100:¥41.7196
250:¥37.4256
参考库存:4484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:37651
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
2,000:¥0.7458
参考库存:36868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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