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TTC012(Q)

  • Toshiba
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 2A IC 3A ICP 800V
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数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.3732
63.732
100
¥4.8929
489.29
500
¥4.3279
2163.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
375 V
集电极—基极电压 VCBO
800 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
2 A
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTC012
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 1 mA, 5 V
封装
Bulk
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
80 at 1 mA, 5 V
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
200
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:42273
DMT34M2LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.39
1,000:¥2.712
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DDTA114WE-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42283
2N5859
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
500:¥30.2727
1,000:¥28.589
2,000:¥27.5042
参考库存:42288
DDTC115TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:63596
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