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晶体管
IPP80N04S4-04参考图片

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IPP80N04S4-04

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数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5201
652.01
500
¥5.7743
2887.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP80N04S404AKSA1 IPP8N4S44XK SP000646196
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP80N04S4-04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
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晶体管
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1:¥10.6785
10:¥9.0626
100:¥7.006
500:¥6.1924
2,500:¥4.3392
10,000:查看
参考库存:19769
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥92.5131
10:¥85.0664
25:¥81.5295
100:¥71.8454
参考库存:2941
晶体管
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:54663
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9777
500:¥5.2884
5,000:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:76345
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