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晶体管
STW33N60M2参考图片

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STW33N60M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
108 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW33N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
109 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW33N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTD5R65F2SWK
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