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晶体管
IGW40T120参考图片

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IGW40T120

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
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数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.6461
1016.1525
100
¥35.2673
3526.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40T120FKSA1 IGW4T12XK SP000013886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET P-Channel -50V 50mA 500mW 4mW
1:¥88.9084
10:¥74.7608
100:¥68.7718
250:¥62.7037
参考库存:4037
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 45V 100mA
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
10,000:¥0.29154
20,000:查看
参考库存:73959
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
8,000:¥0.27685
24,000:查看
参考库存:91791
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP LOW VCE(SAT)
1:¥4.9155
10:¥4.0341
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19578
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥60.4776
10:¥54.6355
25:¥52.093
100:¥45.2565
参考库存:5095
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