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晶体管
ZXMN6A08KTC参考图片

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ZXMN6A08KTC

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9324
39.324
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.034
2034
2,500
¥2.034
5085
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
7.9 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMN6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6.6 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.3 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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