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晶体管
IRFH3702TRPBF参考图片

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IRFH3702TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.1mOhms 9.6nC
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.8645
1864.5
4,000
¥1.8645
7458
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
7.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.6 nC
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001572498
商品其它信息
优势价格，IRFH3702TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥110.2654
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Infineon Technologies
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
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7,000:¥1.2769
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100:¥140.007
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500:¥119.4071
参考库存:37986
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