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晶体管
ULN2004ADRE4参考图片

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ULN2004ADRE4

  • Texas Instruments
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  • 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.5651
256.51
1,000
¥2.0566
2056.6
2,500
¥1.8645
4661.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大集电极截止电流
500 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-16
最小工作温度
- 20 C
最大工作温度
+ 70 C
系列
ULN2004A
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.58 mm
长度
9.9 mm
工作温度范围
- 20 C to + 70 C
输出类型
TTL
宽度
3.91 mm
商标
Texas Instruments
集电极连续电流
500 mA
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
141.700 mg
商品其它信息
优势价格,ULN2004ADRE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1,500:¥13.447
4,500:¥12.9046
参考库存:10218
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:47671
晶体管
MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
1:¥35.3464
10:¥29.2783
100:¥24.1255
250:¥23.3571
500:¥20.9728
3,000:¥20.9728
参考库存:17725
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:47678
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:47683
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