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晶体管
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STW38N65M5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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¥63.7772
637.772
25
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100
¥52.7936
5279.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW38N65M5
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW38N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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