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晶体管
TSM3N90CZ C0G参考图片

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TSM3N90CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 900V, 2.5A
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库存:13,635(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.3734
10.3734
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.2659
726.59
500
¥5.6387
2819.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格,TSM3N90CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.4012
500:¥1.1413
3,000:¥0.76049
6,000:查看
参考库存:423850
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.5261
500:¥11.8311
参考库存:17147
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,160.3631
5:¥1,137.5371
10:¥1,084.5175
25:¥1,061.7028
参考库存:2329
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 0.7A 30V
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
参考库存:17176
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:11658
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