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晶体管
DZT658-13参考图片

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DZT658-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
2,500
¥1.3334
3333.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DZT658
直流电流增益 hFE 最大值
50 at 1 mA, 5 V
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 200 mA, 10 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGLQ100A120TG
Microsemi
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100:¥590.9787
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1,000:¥10.9158
2,000:¥10.2152
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15,000:¥4.7121
参考库存:50259
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
3,000:¥62.1613
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500:¥10.0683
1,000:¥8.3733
2,500:¥7.7631
5,000:¥7.5145
参考库存:50269
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