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晶体管
MG12200D-BN2MM参考图片

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MG12200D-BN2MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 1200V 200A Dual
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库存:2,395(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥947.1321
947.1321
5
¥928.5323
4642.6615
10
¥885.2759
8852.759
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1400 W
封装 / 箱体
Package D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG12200D
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
285 g
商品其它信息
优势价格,MG12200D-BN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:28085
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V
1:¥1,080.5964
5:¥1,059.6236
10:¥1,024.6614
25:¥981.2468
参考库存:28090
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:28095
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥5.8421
10:¥5.1076
100:¥3.8533
500:¥2.8476
3,000:¥1.9775
6,000:查看
参考库存:20597
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:28102
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