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晶体管
PHE13003C,126参考图片

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PHE13003C,126

  • WeEn Semiconductors
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1W
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3.0736
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9831
98.31
1,000
¥0.66105
661.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
25
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
934063922126
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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