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晶体管

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FP40R12KT3

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数量单价合计
1
¥694.7127
694.7127
5
¥681.955
3409.775
10
¥651.219
6512.19
25
¥629.5456
15738.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP40R12KT3BOSA1 SP000100447
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FP40R12KT3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:3847
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥84.9082
10:¥76.7609
25:¥73.1562
100:¥63.5512
参考库存:6414
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5207
参考库存:5171
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.2997
10:¥4.2149
100:¥3.1979
500:¥2.6329
1,000:¥2.1131
3,000:¥1.9097
参考库存:270293
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥97.0444
10:¥88.2078
25:¥81.6086
50:¥77.1451
参考库存:6115
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