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晶体管
IPA60R190E6参考图片

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IPA60R190E6

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6
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库存：35,593(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.594
1559.4
250
¥14.8256
3706.4
500
¥13.2888
6644.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 nS
零件号别名
IPA60R190E6XKSA1 IPA6R19E6XK SP000797380
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA60R190E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PXTA92,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.7629
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
2,000:¥1.2882
参考库存:9893
MJD31CT4
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur Switch
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4521
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.6611
参考库存:4230
DTC144EUA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 47KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:32527
NVMFS5C670NLT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 71A 6.1MOH
1:¥6.6896
10:¥5.5822
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
5,000:¥2.4295
参考库存:9834
300S14-U
THAT
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4 NPN Matched Trans. Array SO-14
1:¥48.251
25:¥40.4992
100:¥36.6572
250:¥35.6515
参考库存:5136
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