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晶体管
FDD5N50UTM-WS参考图片

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FDD5N50UTM-WS

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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.2772
727.72
500
¥6.4297
3214.85
2,500
¥4.4974
11243.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD5N50U
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
FDD5N50UTM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD5N50UTM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥270.3977
5:¥258.2615
10:¥250.1933
25:¥229.9098
参考库存:1551
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
1:¥12.3735
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7574
参考库存:2323
晶体管
达林顿晶体管 TRNS DARLINGTN TAPE7
1:¥3.842
10:¥2.9719
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,000:¥1.04525
参考库存:10315
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1981
500:¥6.3619
参考库存:2252
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3732
1,000:¥5.0285
参考库存:44459
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