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晶体管
FQU8P10TU参考图片

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FQU8P10TU

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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.3505
43.505
100
¥2.8024
280.24
1,000
¥2.2487
2248.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
6.6 A
Rds On-漏源导通电阻
410 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FQU8P10
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.1 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FQU8P10TU_NL
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,FQU8P10TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 600V
1:¥47.799
10:¥39.6517
100:¥32.5779
250:¥31.5835
500:¥28.3517
800:¥28.3517
参考库存:7862
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 15V 0.5A
1:¥3.2996
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:24272
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3844
10:¥3.6612
100:¥2.2261
1,000:¥1.7289
2,000:¥1.4803
参考库存:24277
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:28874
晶体管
MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥10.2943
10:¥8.5315
100:¥6.4975
500:¥5.5822
800:¥4.407
参考库存:7271
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