您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
ZXMN6A09KTC参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

ZXMN6A09KTC

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:11,864(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5371
3768.55
1,000
¥6.2376
6237.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11.2 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
10.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
ZXMN6A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
14.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.5 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,ZXMN6A09KTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 9 A 52 V N-CHANNEL DIE
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:24914
晶体管
达林顿晶体管 Darl Trans Arrays
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:24919
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:17421
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
10,000:¥0.44522
20,000:¥0.41471
参考库存:24926
晶体管
MOSFET FDG6335N
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.582
参考库存:12428
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号