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晶体管
SI7655DN-T1-GE3参考图片

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SI7655DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III
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数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
3,000
¥7.1303
21390.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
225 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
90 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
45 ns
零件号别名
SI7655DN-GE3
单位重量
120 mg
商品其它信息
优势价格，SI7655DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SH8K32TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1755
500:¥6.3393
2,500:¥6.3393
参考库存:21322
DMP32D4S-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-CH ENHANCEMENT 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.60681
参考库存:4389
TIP31-BP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 40V
1:¥4.9946
10:¥3.8646
100:¥3.3787
250:¥2.938
参考库存:8886
IRG4PH50UPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT
1:¥46.33
10:¥41.8778
25:¥39.9568
100:¥34.6571
参考库存:23073
SI7898DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥15.2098
10:¥12.5995
100:¥9.7632
500:¥8.5315
3,000:¥8.5315
参考库存:49655
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