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晶体管
SI7900AEDN-T1-E3参考图片

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SI7900AEDN-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.65
5650
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.6 ns
典型接通延迟时间
0.85 ns
零件号别名
SI7900AEDN-T1
商品其它信息
优势价格，SI7900AEDN-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3737UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥158.2113
250:¥145.2276
500:¥138.1538
参考库存:42944
JANTXV2N5153U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥995.1571
参考库存:42949
2N2221AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥91.4396
10:¥83.1454
25:¥76.84
50:¥72.6929
参考库存:42954
STB21N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:14494
RN1115MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 2.2Kohms x 10Kohms
暂无价格
参考库存:42961
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