CSD17307Q5A详细参数_参考价格_CSD17307Q5A PDF资料_Texas Instruments

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VSONP-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	73 A
Rds On-漏源导通电阻	10.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	900 mV
Vgs - 栅极-源极电压	8 V
Qg-栅极电荷	4 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	3 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	6 mm
系列	CSD17307Q5A
晶体管类型	1 N-Channel
宽度	4.9 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	66 S
开发套件	TPS51123EVM-399, TPS40195EVM-001, TPS51116EVM-001, TPS51125EVM, TPS51220EVM
下降时间	2.6 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	6.7 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	9.3 ns
典型接通延迟时间	4.6 ns
单位重量	100 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPP80N06S207AKSA4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL_55/60V	1:¥12.5995 10:¥10.7576 100:¥8.2942 500:¥7.2885	参考库存:6537
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CSD22204W	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 8V Pch MOSFET	1:¥4.5313 10:¥3.7629 100:¥2.4295 1,000:¥1.9436 3,000:¥1.6498 9,000:查看	参考库存:9578
TK6R7P06PL,RQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W	1:¥10.2943 10:¥8.2942 100:¥7.2433 500:¥5.6048 1,000:¥4.4296 2,500:¥3.9211	参考库存:132995