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晶体管
MRF6V10010NR4参考图片

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MRF6V10010NR4

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
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数量单价合计
1
¥502.9969
502.9969
5
¥492.3184
2461.592
10
¥473.1084
4731.084
25
¥457.8873
11447.1825
100
¥424.315
42431.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
100 V
增益
25 dB
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Source
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
960 MHz to 1400 MHz
系列
MRF6V10010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935321297531
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,MRF6V10010NR4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
1:¥11.0627
10:¥9.379
100:¥7.2546
500:¥6.4071
800:¥5.0624
参考库存:8868
晶体管
MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:32555
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SRFC MNT BIAS RESTR TRANS
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:150732
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
5,000:¥7.0512
参考库存:137039
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:9286
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