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晶体管
MG12100W-XN2MM参考图片

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MG12100W-XN2MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 1200V 100A IGBT
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库存:1,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,153.1424
1153.1424
5
¥1,130.4746
5652.373
10
¥1,077.7601
10777.601
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
450 W
封装 / 箱体
Package W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Bulk
系列
MG12100W-XN2MM
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,MG12100W-XN2MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET Junction FET
1:¥4.3053
10:¥3.6951
100:¥2.825
500:¥2.1131
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.3673
参考库存:24008
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 1A Epitaxial
1:¥4.6104
10:¥3.8646
100:¥2.3617
1,000:¥1.8193
2,500:¥1.5481
参考库存:13085
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 7A 50V 40W PNP
1:¥6.7574
10:¥5.5935
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
参考库存:12432
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.7685
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
2,000:¥0.4068
参考库存:32119
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 50MA
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:30671
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