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晶体管
CSD16556Q5B参考图片

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CSD16556Q5B

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 25V NexFET N Ch Pwr MosFET
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数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
2,500
¥7.7631
19407.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16556Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
134.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD16556Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZT749TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:17162
PHB20N06T,118
Nexperia
晶体管
MOSFET RAIL MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
800:¥2.4521
2,400:¥2.0679
参考库存:11144
DCX124EK-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PREBIASED TRANSISTOR SOT-26 300MW
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:31041
APT7F120B
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥54.1722
10:¥48.7143
25:¥44.409
100:¥40.0359
参考库存:4193
DDTC123JCA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:1106165
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