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晶体管
MG12200D-BA1MM参考图片

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MG12200D-BA1MM

  • Littelfuse
  • 最新
  • IGBT 模块 1200V 200A Dual
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库存:4,640(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥958.0366
958.0366
5
¥939.2108
4696.054
10
¥895.4911
8954.911
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1400 W
封装 / 箱体
Package D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG12200D
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
单位重量
285 g
商品其它信息
优势价格,MG12200D-BA1MM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.763
10:¥4.7347
100:¥3.0623
800:¥2.4408
2,400:¥2.0679
参考库存:20144
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 80V 12.5W NPN
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
2,500:¥1.356
参考库存:25331
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VSAT NPN SMT 2.5K
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:41008
晶体管
MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
2,500:¥1.4012
参考库存:27605
晶体管
MOSFET 40V 6Ohm
1:¥4.5313
10:¥4.52
25:¥3.7177
100:¥3.4013
参考库存:15917
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