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晶体管
RJH65T47DPQ-A0#T0参考图片

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RJH65T47DPQ-A0#T0

  • Renesas Electronics
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  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/45A/TO-247A
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数量单价合计
1
¥49.1776
49.1776
10
¥43.8779
438.779
25
¥39.4935
987.3375
50
¥37.8098
1890.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
90 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,RJH65T47DPQ-A0#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
3,000:¥34.0356
参考库存:39479
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
5,000:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:39484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.0626
参考库存:39489
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:39494
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:39499
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