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晶体管
CSD25310Q2参考图片

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CSD25310Q2

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:316,300(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.1809
218.09
1,000
¥1.695
1695
3,000
¥1.4464
4339.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
23.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
550 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD25310Q2
晶体管类型
1 P-Channel Power MOSFET
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格,CSD25310Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:4312
晶体管
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥10.6785
10:¥9.0626
100:¥7.006
500:¥6.1924
2,500:¥4.3392
10,000:查看
参考库存:19769
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥92.5131
10:¥85.0664
25:¥81.5295
100:¥71.8454
参考库存:2941
晶体管
MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:54663
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
1:¥9.0626
10:¥7.7631
100:¥5.9777
500:¥5.2884
5,000:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:76345
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