CSD86350Q5D详细参数_参考价格_CSD86350Q5D PDF资料_Texas Instruments

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Texas Instruments
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LSON-CLIP-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	25 V
Id-连续漏极电流	40 A
Vgs th-栅源极阈值电压	900 mV
Vgs - 栅极-源极电压	8 V
Qg-栅极电荷	8.2 nC, 19.4 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	13 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
商标名	NexFET
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.5 mm
长度	6 mm
系列	CSD86350Q5D
晶体管类型	2 N-Channel
类型	Synchronous Buck MOSFET Driver
宽度	5 mm
商标	Texas Instruments
正向跨导 - 最小值	103 S, 132 S
开发套件	CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690
下降时间	2.3 ns, 21 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	21 ns, 23 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	9 ns, 24 ns
典型接通延迟时间	8 ns, 9 ns
单位重量	170 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FCP099N60E	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SuperFET2 600V Slow version	1:¥28.5099 10:¥24.2046 100:¥20.9728 250:¥19.8993	参考库存:4205
CSD87313DMST	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N CH MOSFET	1:¥15.142 10:¥12.8368 100:¥10.2152 250:¥10.2152 500:¥8.9157	参考库存:8962
IPD60R1K4C6ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LOW POWER_LEGACY	1:¥6.6896 10:¥5.5822 100:¥3.6047 1,000:¥2.8815 2,500:¥2.8815	参考库存:89454
SI7153DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8	1:¥5.2206 10:¥4.0115 100:¥2.9832 500:¥2.4408 3,000:¥1.7176 6,000:查看	参考库存:22486
PMZB390UNEYL	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Channel Trench MOSFET	1:¥3.3787 10:¥2.1696 100:¥0.92999 1,000:¥0.71416 10,000:¥0.48364 20,000:查看	参考库存:77688