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晶体管
MRFE6VP61K25HSR5参考图片

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MRFE6VP61K25HSR5

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
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数量单价合计
1
¥1,350.0788
1350.0788
5
¥1,319.953
6599.765
10
¥1,292.9121
12929.121
25
¥1,273.849
31846.225
50
¥1,227.5981
61379.905
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 uA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
24 dB
输出功率
1.25 kW
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz, 600 MHz
系列
MRFE6VP61K25H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314409178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP61K25HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.3516
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
1,000:¥13.9103
2,000:查看
参考库存:13924
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
3,000:¥4.1697
参考库存:25941
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:4708
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:4665
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
5,000:¥4.3166
10,000:查看
参考库存:38782
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