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晶体管
FZT851QTA参考图片

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FZT851QTA

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
50 mV
最大直流电集电极电流
20 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT851QTA
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
6 A
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,FZT851QTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET P-Ch 25V JFET -10mA 25V 300mW 2.4mW
113:¥57.9351
500:¥52.7936
1,000:¥45.9458
参考库存:23006
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
1:¥1.695
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:23011
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
2,500:¥4.0228
5,000:查看
参考库存:23016
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 342A
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥16.3624
参考库存:23021
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3618
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