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晶体管
MRFE6VP6300HR3参考图片

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MRFE6VP6300HR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
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数量单价合计
1
¥812.0406
812.0406
5
¥796.2884
3981.442
10
¥770.0159
7700.159
25
¥737.438
18435.95
250
¥661.2082
165302.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935317343128
单位重量
6.396 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300HR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
5,000:¥7.345
10,000:¥7.0625
参考库存:53170
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
1:¥139.5437
10:¥128.3228
25:¥123.0231
100:¥108.3444
600:¥96.4342
参考库存:53175
晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual P-Ch Enh Mode
5,000:¥1.2317
10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
50,000:¥1.05994
参考库存:53180
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 9A 8PIN
2,500:¥4.0906
10,000:¥3.9437
参考库存:53185
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
3,000:¥13.221
5,000:¥12.6786
参考库存:53190
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