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晶体管
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BSC090N03MS G

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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥2.2374
11187
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
32 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.8 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
BSC090N03MSGATMA1 BSC9N3MSGXT SP000313120
商品其它信息
优势价格，BSC090N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG1012T-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:991062
UJC1206K
UnitedSiC
晶体管
MOSFET 1200V/60mOhm SiC CASCODE, TO-247
1:¥176.6529
5:¥168.7429
10:¥163.4432
25:¥150.2222
参考库存:4859
2SJ649-AZ
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET Mosfet
1:¥13.3679
10:¥12.0684
25:¥10.7576
100:¥9.6841
参考库存:5296
BC 848C E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:301083
2SC5053T100R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 1A
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.03734
参考库存:9890
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