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晶体管
CSD22204WT参考图片

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CSD22204WT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:4,915(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3053
43.053
100
¥2.7798
277.98
250
¥2.7798
694.95
1,000
¥2.2261
2226.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-9
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
18.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD22204W
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
2.29 us
产品类型
MOSFET
上升时间
600 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3.45 us
典型接通延迟时间
58 ns
单位重量
2.500 mg
商品其它信息
优势价格,CSD22204WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:80845
晶体管
MOSFET 1.8V-rated PFET w/Vgs pull-up
1:¥4.2262
10:¥4.2149
25:¥3.5595
100:¥3.2431
3,000:¥3.2431
参考库存:26367
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥56.9407
10:¥50.8726
100:¥41.7196
250:¥37.4256
参考库存:4484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:37651
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
2,000:¥0.7458
参考库存:36868
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