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晶体管
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FDB0190N807L

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数量单价合计
1
¥39.4144
39.4144
10
¥33.5045
335.045
100
¥29.041
2904.1
250
¥27.5042
6876.05
800
¥20.8259
16660.72
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
270 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
178 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
10.2 mm
系列
FDB0190N807L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
133 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
78 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
98 ns
典型接通延迟时间
60 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FDB0190N807L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIR470DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥21.7412
10:¥18.0574
100:¥13.9894
500:¥12.2944
1,000:¥11.9102
3,000:¥11.6842
参考库存:41665
IRFR4510TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
1:¥11.4469
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8365
1,000:¥5.65
2,000:¥5.65
参考库存:47297
PGA26E07BA
Panasonic
晶体管
MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN
1:¥272.2396
10:¥257.1089
25:¥241.9669
200:¥241.9669
参考库存:2659
PMDXB600UNELZ
Nexperia
晶体管
MOSFET PMDXB600UNEL/DFN1010B-6/REEL 7
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
5,000:¥0.77631
参考库存:23111
AUIRF7648M2TR
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.1362
4,800:¥8.9948
9,600:查看
参考库存:39748
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