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晶体管
STP36N60M6参考图片

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STP36N60M6

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:4,166(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.1204
35.1204
10
¥29.8885
298.885
100
¥25.8996
2589.96
250
¥24.5888
6147.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
44.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP36N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50.2 ns
典型接通延迟时间
15.2 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STP36N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
2,500:¥4.9833
参考库存:6652
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:53874
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9156
500:¥5.989
800:¥5.989
参考库存:7376
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:82063
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:5995
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