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晶体管
STGD4M65DF2参考图片

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STGD4M65DF2

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  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4918
54.918
100
¥4.2149
421.49
500
¥3.729
1864.5
2,500
¥2.6103
6525.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD4M65DF2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP
1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.08367
参考库存:28952
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:43549
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.8645
参考库存:18271
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -150V
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,500:¥1.05316
参考库存:30833
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥7.3789
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
1,000:¥3.5143
2,500:¥3.0736
参考库存:17780
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