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晶体管
CSD19502Q5BT参考图片

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CSD19502Q5BT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-Channel, 3.4mOhm 80V
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数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.221
1322.1
250
¥13.221
3305.25
500
¥11.526
5763
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19502Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
88 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
134.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD19502Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
1:¥11.0627
10:¥9.379
100:¥7.2546
500:¥6.4071
800:¥5.0624
参考库存:8868
晶体管
MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:32555
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SRFC MNT BIAS RESTR TRANS
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:150732
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
5,000:¥7.0512
参考库存:137039
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 100MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:9286
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