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晶体管
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2N2906

  • Central Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
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数量单价合计
1
¥15.594
15.594
10
¥13.8312
138.312
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.7632
4881.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
最大直流电集电极电流
600 mA
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
600 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
-
Pd-功率耗散
400 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N2906 PBFREE
单位重量
312.400 mg
商品其它信息
优势价格,2N2906的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.3516
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
1,000:¥13.9103
2,000:查看
参考库存:13924
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.6049
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.1697
3,000:¥4.1697
参考库存:25941
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:4708
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥22.9729
参考库存:4665
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 37A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9834
500:¥6.1698
5,000:¥4.3166
10,000:查看
参考库存:38782
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