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晶体管
RM135N100HD-T参考图片

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RM135N100HD-T

  • Rectron
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  • MOSFET D2-PAK MOSFET
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数量单价合计
800
¥7.9891
6391.28
2,400
¥6.8365
16407.6
4,800
¥6.2376
29940.48
9,600
¥5.6952
54673.92
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
143 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
92 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
76 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
19 ns
商品其它信息
优势价格，RM135N100HD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
1,000:¥8.8366
参考库存:8765
NVMFS6B05NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 104A
1,500:¥16.0573
4,500:¥15.4471
参考库存:28770
FF200R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 200A DUAL
1:¥922.6224
5:¥904.4859
10:¥862.303
25:¥844.2456
参考库存:6312
IPAN50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:11274
MMDT2227Q-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor SOT363 T&R 3K
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:28779
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