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晶体管

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APTGT300DH60G

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数量单价合计
100
¥992.7728
99277.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
1.15 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT300DH60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
1:¥5.8421
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.1244
参考库存:376509
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29154
参考库存:29511
晶体管
MOSFET 20V 3.2A N-Channel
1:¥3.2318
10:¥2.2374
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.67574
参考库存:623828
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) I2C BUS 1Kbit EEPROM
1:¥3.0736
10:¥2.5086
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:15680
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0399
250:¥7.0399
500:¥6.2263
参考库存:7877
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