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APTGTQ100H65T3G参考图片

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APTGTQ100H65T3G

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数量单价合计
100
¥609.183
60918.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
240 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGTQ100H65T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2919U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥328.9543
250:¥300.6704
参考库存:41710
ALD310702APCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥50.9404
100:¥48.4092
250:¥43.3355
500:¥40.8043
参考库存:41715
JANTX2N2060/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥582.2212
参考库存:41720
JANSR2N3810U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥1,583.4464
100:¥1,583.4464
参考库存:41725
JANTX2N3501UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥206.6205
250:¥189.6366
500:¥180.4949
参考库存:41730
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