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晶体管
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PTFC260202FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥414.936
20746.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
20 dB
输出功率
25 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2495 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFC260202FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3737UB
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥158.2113
250:¥145.2276
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JANTXV2N5153U3
Microsemi
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250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:14494
RN1115MFV(TPL3)
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 2.2Kohms x 10Kohms
暂无价格
参考库存:42961
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