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晶体管
TSM4NB50CH C5G参考图片

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TSM4NB50CH C5G

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库存:51,359(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥2.3617
35425.5
24,375
¥2.3165
56464.6875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1875
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM4NB50CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:91644
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