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晶体管

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APTGT50DA120TG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥424.541
42454.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
277 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT50DA120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 4.3mOhms 100A
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
3,000:¥5.3223
6,000:查看
参考库存:16205
晶体管
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
1,000:¥13.5261
2,000:查看
参考库存:6937
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
500:¥12.7577
4,000:¥12.7577
参考库存:19009
晶体管
MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:16291
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8817
500:¥5.9212
3,000:¥5.9212
参考库存:75108
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