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晶体管

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APTGT100TL170G

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数量单价合计
100
¥1,608.8036
160880.36
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.7 kV
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
560 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT100TL170G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
1:¥7.684
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
参考库存:19194
晶体管
MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
800:¥14.6787
参考库存:10601
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
1:¥11.30
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.3958
1,000:¥5.198
3,000:¥4.9946
参考库存:17738
晶体管
MOSFET PMCPB5530X/HUSON6/REEL 7" Q1/T
1:¥4.0002
10:¥3.4239
100:¥2.5538
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3786
参考库存:60450
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥32.431
10:¥27.5042
100:¥23.8995
250:¥22.6678
参考库存:3837
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