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晶体管
TSM4NB60CP RO参考图片

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TSM4NB60CP RO

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库存:47,212(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥2.8137
14068.5
10,000
¥2.7459
27459
25,000
¥2.6894
67235
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.6 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TSM4NB60CP RO的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 4V Power MOSFET
1:¥3.2996
10:¥2.7346
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:1160
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7798
1,000:¥2.2261
3,000:¥1.8871
参考库存:57372
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 340mW
1:¥15.368
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:11569
晶体管
MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥10.2152
100:¥7.91
500:¥6.9382
1,000:¥5.7517
3,000:¥5.7517
参考库存:217466
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:16378
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