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晶体管
TJ80S04M3L(T6L1,NQ参考图片

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TJ80S04M3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
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数量单价合计
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¥6.7461
13492.2
4,000
¥6.4975
25990
10,000
¥6.2489
62489
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TJ80S04M3L
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TJ80S04M3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3845
2,500:¥4.4748
10,000:查看
参考库存:16700
IRFP150NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6275
1,000:¥6.3167
参考库存:119152
STL60N10F7
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.2999
参考库存:19194
AUIRF1010ZL
Infineon / IR
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:6051
IGW40N65F5AXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥46.5673
10:¥39.5726
100:¥34.2729
250:¥32.5779
500:¥29.1992
参考库存:5443
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