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晶体管
HFA3127RZ96参考图片

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HFA3127RZ96

  • Renesas / Intersil
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
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库存:44,181(价格仅供参考)
数量单价合计
6,000
¥37.4256
224553.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
QFN EP
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
0.95 mm (Max)
长度
3 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
6000
子类别
Transistors
单位重量
24 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3127RZ96的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥270.3977
5:¥258.2615
10:¥250.1933
25:¥229.9098
参考库存:1551
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
1:¥12.3735
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7574
参考库存:2323
晶体管
达林顿晶体管 TRNS DARLINGTN TAPE7
1:¥3.842
10:¥2.9719
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,000:¥1.04525
参考库存:10315
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1981
500:¥6.3619
参考库存:2252
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3732
1,000:¥5.0285
参考库存:44459
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